
友思特产品 | 高功率UVLED点固化光源
友思特高功率 UVLED 点光源采用集成结构,光谱可模块化,照射范围可改。其 ALE/1 最高 30W 输出,ALE/3 最高 15W 输出,应用广泛。

友思特高功率 UVLED 点光源采用集成结构,光谱可模块化,照射范围可改。其 ALE/1 最高 30W 输出,ALE/3 最高 15W 输出,应用广泛。

UVLED 光源优势显著,取代汞灯是趋势。友思特 ALE/1C 紫外光源可取代汞灯,分控制系统和曝光系统,适用于多种晶圆曝光场景,有高功率、无汞等亮点。

晶圆缺陷检测直接影响芯片的良率与成本。友思特高功率紫外UVLED方案通过多波长切换、高灵敏度成像,精准捕捉灰尘、遗留胶及内部划痕等缺陷,检测精度与效率显著提升,助力产业迈向更高精度与效率。

晶圆边缘曝光 (WEE)是半导体制造中的关键工艺,通过光刻胶的光化学反应去除边缘多余胶层,从源头减少污染、提升良率。其流程包含四阶段,涉及光机电协同等技术难点。友思特ALE系列光源支持多紫外波长灵活适配,凭借精准稳定的控光能力保障工艺一致性,并以长寿命、低维护成本为WEE工艺提供核心支撑,助力半导体制造提质增效。

晶圆边缘曝光是帮助减少晶圆涂布过程中多余的光刻胶对电子器件影响的重要步骤。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能点光源,作为唯一可用于宽带晶圆边缘曝光的 i、h 和 g 线的 LED 解决方案,可高效实现WEE系统设计和曝光需求。

为新能源锂电行业赋能第四站:半导体制造中的高功率紫外光源!稳定输出、灵活控制的曝光设备是新能源/半导体行业高端生产中减少误差、提高效率的核心技术,友思特 ALE 系列 UV LED 紫外光源集合6大优势,为精密制造的健康发展提供了全新的选择。

汇集多种优势特征于一体的平行紫外光源是半导体芯片制造中实现高精度、超准确曝光效果的关键。对比矩阵式LED光源,友思特ALE光源的光刻曝光效果展示出了优异的性能。

紫外固化的精密工艺满足了汽车、半导体、消费电子等领域的光学元件生产需求。在此基础上,友思特高功率紫外光源结合液态光导和多种准直元件,创新地开发了多点固化和聚光的低成本、大批量、高效率的固化曝光方案。

LED替代汞灯在紫外光源中的使用已成为大势所趋。友思特先进的 UV-LED-EXP 系统可作为OEM集成、汞灯光刻设备改造或直接定制光路设计和曝光设备,为紫外光源的半导体光刻曝光过程提供近乎完美的光照质量。

本文介绍了紫外固化技术原理及友思特 UV – LED 曝光装置,该装置多波长设置,适用于多种紫外固化应用,在制药 / 医疗、汽车、电子产品等行业优势明显,具有强大输出、多波长定制、易集成、稳定性高、灵活性强等特点。
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高精度和可靠性应用的首选
功率输出水平可以达到或超过使用传统 200 W 汞放电灯

灵活且功能最强大的即用型 LED 点光源
结合了汞放电灯的辐射功率和光谱特性,可实现高达 30W 的光输出

适用高性能工业UV曝光的强力聚光光源
采用 UV-LED 技术、具有出色的
输出稳定性和灵活的光谱控制

高性能 UV 光源
适用于需要完美均匀和准直辐射的大型基板工业泛光曝光工具