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精密制程的光影贴合:半导体制造中的高功率紫外光源

前言导读

为新能源锂电行业赋能第四站:半导体制造中的高功率紫外光源!稳定输出、灵活控制的曝光设备是新能源/半导体行业高端生产中减少误差、提高效率的核心技术,友思特 ALE 系列 UV LED 紫外光源集合6大优势,为精密制造的健康发展提供了全新的选择。

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应用背景:新能源与半导体行业的光刻曝光需求

紫外光刻和曝光是新能源和半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术。在紫外光刻过程中,光源发射的紫外线通过掩模上的微小透镜或光栅投射到光刻胶层上,形成所需的微小图案,如图1所示。

图1. 紫外光刻曝光示意图

长期以来,半导体制造领域通常使用传统的大功率汞灯技术作为光刻设备中的紫外光源。这种汞灯光源虽然输出功率高,但输出光谱范围过宽,制造和生产过程中会产生对环境有害的物质,并且工作寿命较短、更换周期频繁。

相比之下,UV LED 具有独特的技术优势和成本优势,它能够输出稳定且超高功率的紫外辐射,还能保证长时间运作和长工作寿命,为半导体的制造提供了一种理想的解决方案。

图2. UVLED光谱

基于 UV LED 独特优势的广泛传播,越来越多的研究实验使用 UV LED 光源代替传统的汞灯灯箱。然而,设备的更新换代并不是简单的“钥匙开门”过程,还需要考虑更换成本、设备体积和设备兼容性,更关键的是必须保证光刻曝光的效果稳定。

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友思特ALE:用于改造光刻设备的优异性

友思特高功率 UV LED 紫外光源 ALE 1 可以与准直泛光曝光光学器件相结合,不仅是将传统掩模对准器灯箱升级到 UV LED 技术的多功能和灵活的选择,也是一种经济实惠的解决方案,对学术领域小型研究实验室和工业领域的技术开发具有很强的吸引力。

  1. 高能量效率友思特 ALE 1 紫外光源比传统的汞灯耗费更少的能源。从长远来看,这不仅有助于降低能源支出,而且使 UV LED 成为减少碳足迹的实验环境的更环保的选择。
  2. 长使用寿命友思特 ALE 1 紫外光源比传统汞灯具有更长的使用寿命,这意味着它们需要更少的更换和维护频率,从而为实验室节省资源成本、提高使用效率。
  3. 稳定的输出友思特 ALE 1 紫外光源可随着时间的推移提供一致的紫外线输出,无需调整灯泡强度或频繁更换灯泡。这确保了实验中更高的一致性和准确性,减少了由于不均匀照明而导致的错误风险。
  4. 灵活的传输控制友思特 ALE 1 紫外光源能够完美地集成到现代实验室设置中。完全可调的输出光谱和最先进的控制接口为高级曝光开辟了可能性,同时易于收集数据和分析结果。
  5. 减少热量友思特 ALE 1 紫外光源比传统汞灯散发的热量更少,在对温度变化敏感的实验中,这一优势将发挥很大的作用,避免产生误差。
  6. 更安全的使用环境友思特 ALE 1 紫外光源是比传统汞灯更安全的选择,因为它们不含汞这种有毒物质,减少了对人体健康和环境的危害,在传统灯具中使用汞会带来潜在的暴露风险。

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利用 UV LED 进行光刻设备的升级

标准或定制的高透射率液体 LED 光导用于连接光源和曝光设备,可以自由选择最适合的连接方式,将光源和曝光光学器件放置在任何位置。友思特支持有关紫外曝光集成的各种解决方案的定制设计,用于完美贴合原有设备及实验需求。

图3. 大面积聚光元件集成方式
图4. 透镜组集成方式

作为曝光光源的 ALE 1 紫外光源为实验室研究和工厂技术开发提供了许多好处。它们不仅更节能、使用寿命更长,还提供一致的紫外线输出,散发更少的热量,对研究人员来说更安全。

凭借与数字技术集成的能力,经济实惠的 ALE 1 紫外光源正成为与新能源/半导体行业最新技术同步发展进步的首选。

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友思特 方案产品套装介绍

ALE / 1 紫外点光源

可提供高达 30W 光输出,光强度最高可达 95,000 mW/cm²,采用模块化平台概念,ALE/1 能够在光路中组合多达5个高性能 LED,实现了光谱组成的高度灵活性和定制化。可用于高功率紫外固化、晶圆边界曝光、无损检测应用。

ALE / 3 紫外点光源

提供多种波长的固化模式,在较高波段进行曝光,并在高强度较低波段完成固化。兼具高功率与稳定性,可提供高达 15W 光输出,具备LED工业稳定性和TCO优势,易于集成到新的和现有设置中,可在UV固化应用中完美替代200W汞灯

ALE / 2 紫外曝光系统

友思特 ALE 2 紫外曝光光源提供非常大的曝光效率和性能:350-450nm范围内的窄带和宽带紫外辐射输出;窄带输出功率高达 70W ,宽带输出功率高达 80W 。系统遵循分布式设计方法,结构紧凑,适合于工业集成,可应用于掩模对准器、大基板光刻工具、高均匀精度曝光等。

ALE / 1C 紫外曝光系统

友思特 ALE 1C 紫外曝光光源具有替代高功率汞灯的输出性能:最多可组合3个UV-LED发射器,提供 350-450 nm 范围内的窄带和宽带紫外辐射输出。总输出功率高达 40 W ,搭配外部冷却器时输出功率高达 50 W。系统遵循分布式设计方法,结构紧凑,适合于工业集成。