曝光系统 | 高功率紫外曝光平行LED光源 | 高均匀性高稳定性的精密曝光

友思特ALE 2大基板 UV-LED 曝光系统

代替超高功率汞灯的LED光源，内置解决方案可实现最大曝光效率和性能

友思特ALE 2大基板 UV-LED 曝光系统

友思特 UV-LED 曝光系统ALE 2是一种高性能 UV 光源，适用于需要完美均匀和准直辐射的大型基板工业泛光曝光工具，8 英寸（200 mm）或 12 英寸（300 mm）掩模对准器。ALE 2 的UV 输出足够强大、可以为方形曝光区域高达 400 X 400 mm 的更大设置提供动力。

产品采用 UV-LED 技术，在光路中组合四个反馈控制的高功率 UV LED，提供 i-line（CWL 365 nm）和宽带（CWL 365 / 405 / 436 nm）配置，具有出色的输出稳定性和灵活的光谱控制，可与额定功率高达 5,000 W 的传统放电灯相媲美。

内置解决方案可实现最大曝光效率和性能
高达70W的i-line曝光（CWL 365 nm）
高达80W的宽带曝光（350-450 nm）
闭环控制光输出
LED工艺稳定性和TCO优势
无需外部冷却
无汞！节能环保的LED光源

晶圆光刻曝光

在半导体制造中，晶圆光刻曝光是一个关键步骤。
光纤耦合UVLED通过将紫外光束精准地投射到涂有光刻胶的晶圆表面，
形成所需的微细图案。

UVLED光源的高精度和稳定性使得这种曝光过程能够在

极小的尺度上实现精确控制，从而提高芯片制造的良率和效率

工业紫外固化

工业紫外固化利用光纤耦合UVLED提供的高强度紫外光

来快速固化涂层、胶水或其他材料。

这种方法的优势在于UVLED能够提供稳定且可控的光源，

使得固化过程快速且均匀，减少了能源消耗和生产时间，

同时提高了产品的质量和一致性

晶圆缺陷检测

在晶圆缺陷检测中，光纤耦合UVLED被用来照射晶圆表面，

以便检测微小的缺陷和不均匀性。

通过高分辨率的紫外成像技术，可以清晰地识别出晶圆表面的瑕疵，

这对于提高半导体产品的质量和可靠性至关重要

高功率紫外成像

高功率紫外成像利用光纤耦合UVLED提供的高强度紫外光来获取高分辨率的图像。

这种技术广泛应用于需要高清晰度成像的领域，如半导体检测、生物医学成像等。

UVLED的高功率输出和稳定性使其能够提供清晰的图像，帮助分析复杂的微观结构

产品优势特点

集成解决方案

晶圆边缘曝光紫外UVLED光源方案

基于友思特环保型 ALE/1和 ALE/3 UV LED光源，提高电子元器件制造的精确度，提供>95%的均匀性，确保每一次曝光都精准同步，为晶圆制造带来更高的精确度和质量保障。

半导体光刻光源解决方案

友思特 UVLED 紫外光源提供稳定且超高功率的UV辐射输出，具有单峰或双峰波长输出配置，最高输出功率可达 80 W，具有长寿命和成本优势，即开即用，取代了传统的灯箱结构，高效改造紫外光刻设备。

基于多通道高功率UVLED点光源的高效固化

友思特高功率UV-LED系列光源采用高透光率的光导设计，能够高效地将光线精准传递至目标位置，实现高效的整体固化效果。系统配备小型光学聚光元件，确保光线的准直和均匀性，满足精密固化需求。

分布式设计集成

ALE/2 曝光光源遵循分布式设计方法，通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个单独的曝光子系统 (ESS) 组成，ESS可直接接入到曝光系统中

控制子系统 (CSS)
可用作 4U 19 英寸机架安装统
包括电源、冷却系统和外部接口

曝光子系统（ESS）
创新的光学设计可直接集成到曝光设备中
包括i、h和g线发射器，以及LED驱动器

从高强度固化到精密紫外线光刻曝光：光导和光学元件介绍

曝光光源系统

我们的 UV-LED 高性能光学系统在所有这些制造环境中都大放异彩。友思特创新解决方案提供最高效率、需要的准直和均匀性。
我们的标准光学产品组合涵盖许多曝光场景、但定制 UV-LED 光学产品是我们日常业务的重要组成部分。
下表中为友思特曝光光源系统的规格参数，部分参数由定制化需求而定。

光源类型	LED
中心波长	365nm，385nm，405nm 435nm	367.5+2.5 nm, 387.5±2.5 nm. 402.5+2.5 nm, and 435.0+2.5nm 实际数据视新机出厂测试而定
FWHM	10-15nm	实际数据视新机出厂测试而定
光功率	单波长17-30W
光照面积	4"-12"	可根据具体需求定制
功率密度	25-150mW/cm2	视波长和面积而定
光照均匀性	≥97%
平行半角范围	≤3°
工作距离	100-400mm	可根据具体需求定制
冷却方式	液体冷却、热电冷却
工作寿命	曝光时间1000-30000小时	视具体使用情况而定，参考值 5000曝光小时-50mW/cm2-50%duty

基本参数信息

宽带输出：365 / 405 /436 nm

Radiation [W]
ALE/2	i-line CWL 365 nm	Broadband 350 – 450 nm
标准模式	35	80
性能模式	38	90
汞弧灯
1,000 W	20	40
5,000 W	75	150

窄带输出：4 NUV-LEDs：365 nm

Radiation [W]
ALE/2	i-line CWL 365 nm
标准模式	70
性能模式	80
汞弧灯
1,000 W	20
5,000 W	75

系统参数与规格

发射波长选择	4 LEDs with CWL 365 nm, 385 nm, 405 nm, and 436 nm
数值孔径	标准聚光器下：NA 0.3 (2α ~35°)
输出控制	+ 单个LED电源管理和预设 + 高分辨率强度调整（10-100%） + LED上升时间小于1毫秒 + 连续监控光学输出和反馈控制
通信接口	+ 离散PLC接口（TTL） + USB（串行） + 以太网/Modbus（可选）
热管理	+ 带内部散热器的液体冷却 + 可选热电冷却器（性能模式运行所需）
尺寸 (W H D)	ESS 21 × 21 × 36 cm (8.3 × 8.3 × 14.2″) CSS (Rack) 44 × 18 × 37 cm (17.3 × 7.1 × 14.6″)
重量	ESS 4 kg (9 lbs) CSS (Rack) 10 kg (22 lbs)
电源供应	110 - 240 VAC / 50 - 60 Hz / 1,500 W