半导体制造工艺中的友思特光源解决方案(1)
半导体工艺制造是发展电子产业的核心,而光刻光源的选择对于半导体制造有至关重要的作用。友思特为您带来用于光刻领域的高功率紫外光源解决方案,为改造传统的紫外线曝光生产工具或设计新的工具提供新的便利。
ALE/2 — UV-LED曝光系统
●内置解决方案可实现最大曝光效率和性能
●高达70W的i-line曝光(CWL 365 nm)
●高达80W的宽带曝光(350-450 nm)
●闭环控制光输出
●LED工艺稳定性和TCO优势
●无需外部冷却
●无汞!节能环保的LED光源
ALE/2曝光光源提供350-450nm范围内的窄带和宽带紫外辐射输出。
友思特 ALE/2 的窄带输出功率高达 70W ,宽带输出功率高达 80W ,完全可替代高功率放电汞灯
ALE/2 曝光光源遵循分布式设计方法,通常由一个控制子系统 (CSS) 和一个单独的曝光子系统 (ESS) 组成,ESS可直接接入到曝光系统中。
控制子系统 (CSS)
曝光子系统(ESS)
发射波长选择 | 4 LEDs with CWL 365 nm, |
数值孔径 | 标准聚光器下:NA 0.3 (2α ~35°) |
输出控制 | + 单个LED电源管理和预设 |
通信接口 | + 离散PLC接口(TTL) |
热管理 | + 带内部散热器的液体冷却 |
尺寸 (W H D) | ESS 21 × 21 × 36 cm (8.3 × 8.3 × 14.2″) |
重量 | ESS 4 kg (9 lbs) |
电源供应 | 110 - 240 VAC / 50 - 60 Hz / 1,500 W |
类别 | 参数 | 备注 | |
1 | 光源类型 | LED | 1064/532/355/266 nm |
2 | 中心波长 | 365nm,385nm | 367.5±2.5 nm, 387.5±2.5 nm, |
3 | FWHM | 10-15nm | 实际数据视新机出厂测试而定 |
4 | 光功率 | 单波长17-30W | |
5 | 光照面积 | 4"-12" | 可根据具体需求定制 |
6 | 功率密度 | 25-150mW/cm2 | 视波长和面积而定 |
7 | 光照均匀性 | ≥97% | |
8 | 平行半角范围 | ≤3° | |
9 | 工作距离 | 100-400mm | 可根据具体需求定制 |
10 | 冷却方式 | 液体冷却、热电冷却 | |
11 | 工作寿命 | 曝光时间1000-30000小时 | 视具体使用情况而定,参考值:5000曝光小时-50mW/cm2-50%duty |
发射波长选择 | 4 LEDs with CWL 365 nm, |
数值孔径 | 标准聚光器下:NA 0.3 (2α ~35°) |
输出控制 | + 单个LED电源管理和预设 |
通信接口 | + 离散PLC接口(TTL) |
热管理 | + 带内部散热器的液体冷却 |
尺寸 (W H D) | ESS 21 × 21 × 36 cm (8.3 × 8.3 × 14.2″) |
重量 | ESS 4 kg (9 lbs) |
电源供应 | 110 – 240 VAC / 50 – 60 Hz / 1,500 W |
半导体工艺制造是发展电子产业的核心,而光刻光源的选择对于半导体制造有至关重要的作用。友思特为您带来用于光刻领域的高功率紫外光源解决方案,为改造传统的紫外线曝光生产工具或设计新的工具提供新的便利。
具有多波段输出、高稳定性、高输出功率以及高灵活性的友思特UV-LED点光源系统,能够替代固化行业中的传统汞灯与单色LED光源,实现更快速、更一致、更可靠的固化效果,满足汽车、电子、制药等多种行业的不同固化材料、照射面积与应用场景的具体需求。
半导体工艺制造是发展电子产业的核心,而光刻光源的选择对于半导体制造有至关重要的作用。上期内容我们介绍了友思特曝光光源在掩膜对准系统和宽带步进系统中的应用。在本篇内容中,我们将继续为您展示友思特曝光光源在半导体领域的其他拓展应用。
紫外光刻和曝光是半导体行业生产各种高端芯片、微观电路结构的核心技术,UVLED为半导体制造领域提供了一种理想解决方案。友思特高功率紫外光源ALE 1 UVLED光源与准直直泛光曝光光学器件相结合,不仅是将传统掩模对准器灯箱升级到UV-LED技术的多功能和灵活的选择,也是一种经济实惠的解决方案,助力学术界和工业界的小型研究实验室应用。
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