晶圆边缘曝光紫外UVLED光源方案 - ALE/1 | ALE/3 | UV LED光源 | 晶圆制造

友思特晶圆边缘曝光紫外UVLED光源方案

基于友思特环保型 ALE/1和 ALE/3 UV LED光源，提高电子元器件制造的精确度

精准的晶圆工艺流程为什么要用到友思特WEE工具？

晶圆曝光和光刻工艺是半导体电子器件制程中尤为重要的一个工艺步骤，影响最终电子元器件的良率和精确度。这个过程类似于冲洗照片，涉及在硅片上涂覆光敏胶，紫外光线通过掩模后固化胶体，形成所需的图形结构。即经典的涂布、曝光、显影和刻蚀工艺流程。

由于离心力的存在，一部分胶会被推到晶圆的边缘，形成较厚的边缘，这部分胶容易从旁晶圆边缘剥落，影响晶圆表面和内部的图形，造成颗粒污染。在表面张力的作用下，少量的胶甚至沿着边缘流到晶圆背面，对晶圆背面造成污染。

化学去边使用溶剂，但处理时间长且成本高。边缘曝光则通过特定设备旋转晶圆并精确控制光斑来去除边缘胶体，这种方法效率高且边缘轮廓整齐。尽管如此，光的散射可能导致边缘轮廓不均匀。

当采用正性光刻胶时，WEE工具主要用于允许边缘处的绝对最小曝光宽度，以最大限度地减少边缘处的良率损失。WEE 不仅可以提高产量，还可以最大限度地减少电镀接触区域的贵金属浪费。当采用负性抗蚀剂时，WEE工具用于提供一种保护或密封晶圆边缘的方法，以防止污染物到达WEE曝光路径边界内的器件。

（多余的胶在晶圆边缘堆积，甚至在表面张力的作用下流到晶圆背面）

（边缘曝光装置结构示意图）

WEE硬件通常由扫描仪、旋转设备和高性能点光源组成，该光源具有用于晶圆边缘曝光的光学元件。
友思特ALE/1 和 ALE/3 UV LED 光源正好适合这些设置：它们是唯一可用于宽带晶圆边缘曝光的 i、h 和 g 线的 LED 解决方案。

（使用ALE 1光源进行WEE工艺）

（ALE 1.3光源与汞灯功率对比）

环保型UV-LED光源ALE/1和ALE/3可以精确控制，以确保最佳曝光效果。此外，它们还提高了系统日常运行效率：一方面，UV LED 的使用寿命更长，系统的停机时间更短。另一方面，光源的可更换 LED 模块可在现场快速轻松地进行维护。

友思特UV LED光源具有与汞蒸气灯非常相似的光谱功率，特别适合在现有的WEE工艺中替代传统灯技术。宽带UV LED光源和解决方案与传统汞蒸气灯的比较显示出出色的光谱一致性，同时具有显著的性能优势。

使用我们的UV LED成像系统，您可以完全控制：单独配置和控制i、h和g线（中心波长365、405和436 nm周围的光谱范围），或将它们一起使用获得最佳性能。曝光过程非常精确，切换时间不到一毫秒，并长期保持稳定。

友思特ALE/1 光纤耦合紫外点光源，具有高达30W光输出，无汞设计，结合了汞放电灯的辐射功率和光谱特性，以及 LED 技术的工艺优势。

基于模块化的平台，能在光路中组合多达5个高性能 LED，实现光谱组成的高度灵活性和定制化，在UV固化应用中完美替代200W汞灯，大批量生产中的点固化。

友思特ALE/3 光纤耦合紫外点光源，具有高达15W光输出，具备LED工业稳定性和TCO优势，易于集成到新的和现有设置中。

支持多种波长固化模式，可在较高波段进行曝光、高强度较低波段完成固化，形成完全固化的粘合层和完美的表面。在UV固化应用中完美替代200W汞灯。

友思特晶圆边缘曝光紫外UVLED光源方案

基于友思特环保型 ALE/1和 ALE/3 UV LED光源，提高电子元器件制造的精确度