友思特产品 | 高功率UVLED点固化光源
友思特高功率 UVLED 点光源采用集成结构,光谱可模块化,照射范围可改。其 ALE/1 最高 30W 输出,ALE/3 最高 15W 输出,应用广泛。
友思特高功率 UVLED 点光源采用集成结构,光谱可模块化,照射范围可改。其 ALE/1 最高 30W 输出,ALE/3 最高 15W 输出,应用广泛。
UVLED 光源优势显著,取代汞灯是趋势。友思特 ALE/1C 紫外光源可取代汞灯,分控制系统和曝光系统,适用于多种晶圆曝光场景,有高功率、无汞等亮点。
光源对多科学领域有影响,现代光源成本低、照度亮等,是重要辅助工具。友思特产品 Superlite 光源系列,涵盖多波段,有多种规格和灯珠类型。其 I01 到 I07 各型号光源功能强大,可用于紫外固化、荧光检测等场景,满足不同应用需求,以多样化选择为工业生产和科研提供精准、先进、高效的光源解决方案。
晶圆缺陷检测直接影响芯片的良率与成本。友思特高功率紫外UVLED方案通过多波长切换、高灵敏度成像,精准捕捉灰尘、遗留胶及内部划痕等缺陷,检测精度与效率显著提升,助力产业迈向更高精度与效率。
紫外与白光混合光源技术 为航天与汽车工业的轴承缺陷检测提供了高效、准确的解决方案。它结合了紫外荧光与白光视觉检测的优点,能全面检测轴承表面及亚表面缺陷。友思特I04和I06光源凭借其高性能与高可靠性,已成为该无损检测领域的理想选择。随着技术发展,该技术必将在精密制造质量控制中发挥越来越关键的作用。
晶圆边缘曝光 (WEE)是半导体制造中的关键工艺,通过光刻胶的光化学反应去除边缘多余胶层,从源头减少污染、提升良率。其流程包含四阶段,涉及光机电协同等技术难点。友思特ALE系列光源支持多紫外波长灵活适配,凭借精准稳定的控光能力保障工艺一致性,并以长寿命、低维护成本为WEE工艺提供核心支撑,助力半导体制造提质增效。
固有荧光可以在临床上用于检测正常组织和病变组织。友思特提供的I05光源可以用于多种荧光激发场景,在医学领域具有广泛应用。
晶圆边缘曝光是帮助减少晶圆涂布过程中多余的光刻胶对电子器件影响的重要步骤。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能点光源,作为唯一可用于宽带晶圆边缘曝光的 i、h 和 g 线的 LED 解决方案,可高效实现WEE系统设计和曝光需求。
为新能源锂电行业赋能第四站:半导体制造中的高功率紫外光源!稳定输出、灵活控制的曝光设备是新能源/半导体行业高端生产中减少误差、提高效率的核心技术,友思特 ALE 系列 UV LED 紫外光源集合6大优势,为精密制造的健康发展提供了全新的选择。
汇集多种优势特征于一体的平行紫外光源是半导体芯片制造中实现高精度、超准确曝光效果的关键。对比矩阵式LED光源,友思特ALE光源的光刻曝光效果展示出了优异的性能。