
友思特方案 | 晶圆边缘曝光(WEE)关键技术突破:工艺难点与 ALE 光源解决方案
晶圆边缘曝光 (WEE)是半导体制造中的关键工艺,通过光刻胶的光化学反应去除边缘多余胶层,从源头减少污染、提升良率。其流程包含四阶段,涉及光机电协同等技术难点。友思特ALE系列光源支持多紫外波长灵活适配,凭借精准稳定的控光能力保障工艺一致性,并以长寿命、低维护成本为WEE工艺提供核心支撑,助力半导体制造提质增效。

晶圆边缘曝光 (WEE)是半导体制造中的关键工艺,通过光刻胶的光化学反应去除边缘多余胶层,从源头减少污染、提升良率。其流程包含四阶段,涉及光机电协同等技术难点。友思特ALE系列光源支持多紫外波长灵活适配,凭借精准稳定的控光能力保障工艺一致性,并以长寿命、低维护成本为WEE工艺提供核心支撑,助力半导体制造提质增效。

晶圆边缘曝光是帮助减少晶圆涂布过程中多余的光刻胶对电子器件影响的重要步骤。友思特 ALE/1 和 ALE/3 UV-LED 高性能点光源,作为唯一可用于宽带晶圆边缘曝光的 i、h 和 g 线的 LED 解决方案,可高效实现WEE系统设计和曝光需求。

汇集多种优势特征于一体的平行紫外光源是半导体芯片制造中实现高精度、超准确曝光效果的关键。对比矩阵式LED光源,友思特ALE光源的光刻曝光效果展示出了优异的性能。

紫外固化的精密工艺满足了汽车、半导体、消费电子等领域的光学元件生产需求。在此基础上,友思特高功率紫外光源结合液态光导和多种准直元件,创新地开发了多点固化和聚光的低成本、大批量、高效率的固化曝光方案。

LED替代汞灯在紫外光源中的使用已成为大势所趋。友思特先进的 UV-LED-EXP 系统可作为OEM集成、汞灯光刻设备改造或直接定制光路设计和曝光设备,为紫外光源的半导体光刻曝光过程提供近乎完美的光照质量。

本文介绍了紫外固化技术原理及友思特 UV – LED 曝光装置,该装置多波长设置,适用于多种紫外固化应用,在制药 / 医疗、汽车、电子产品等行业优势明显,具有强大输出、多波长定制、易集成、稳定性高、灵活性强等特点。

紫外光固化技术应用广,但传统光源存在缺点,而友思特开发多波段高功率 UV-LED 固化点光源,具多光谱输出、高功率高稳定性、高灵活性三大特色。在制药 / 医疗、汽车等行业有应用,满足固化需求,推动技术发展。

紫外光刻在半导体行业举足轻重。传统汞灯光源用于光刻设备有诸多弊端。友思特推出 ALE 1 和 ALE 3 UVLED 光源,优势明显。它们节能、寿命长且输出稳定,可定制适配设备,广泛应用于半导体领域,推动技术进步。

在半导体行业,紫外高功率辐射用于生产微观电路结构。友思特 UVLED 光源备受青睐,它输出功率高、稳定且寿命长,光谱多样可替代汞灯。广泛应用于多种掩模对准系统,还有升级方案。在宽带步进系统中表现出色,应用广泛。
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结合了汞放电灯的辐射功率和光谱特性,可实现高达 30W 的光输出

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采用 UV-LED 技术、具有出色的
输出稳定性和灵活的光谱控制

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